2023 年 ｜ 東京医科歯科大学（医学部／医学科） ｜ 数学
◆ 第１問
| 場合の数分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・格子折れ線の L1 と L2 の図示（ Ln の定義は問題文にあり） ・L4 に属する格子折れ線のうち、両端の x座標の差が３以上となるものをすべて図示 ・Ln に属する格子折れ線のうち、両端の x座標の差が n-2 となるものの個数 ・Ln に属する格子折れ線の個数 |
| 【問題難易度】 ★ 4（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① まずは「青チャート・フォーカスゴールド」等を仕上げて、基礎的な内容を理解すること。 その後で、② 試験問題特有の解決方法（本問では「場合分けの考え方」など）は、過去問演習を通して、身につけたい。 |
◆ 第２問
| 空間ベクトル・数列・極限分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・ある平面に直交する単位ベクトルの求め方 ・３次元の各成分に対する漸化式の定式 ・漸化式からの一般項の誘導とその極限 |
| 【問題難易度】 ★ 4（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① まずは「青チャート・フォーカスゴールド」等を仕上げて、基礎的な内容を理解すること。 その後で、② 試験問題特有の解決方法（本問では「場合分けの考え方」など）は、 過去問演習を通して、身につけたい。 |
◆ 第３問
| 積分・極限分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・積分方程式の扱いと定数決定 ・極限の求め方 |
| 【問題難易度】 ★ 3（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① まずは「青チャート・フォーカスゴールド」等を仕上げて、基礎的な内容を理解すること。 その後で、② 試験問題特有の解決方法（本問では「複雑な連立方程式の解き方」など）については、過去問演習を通して、身につけたい。 |
◆ 総評
| 全体的な対策 |
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① まずは、青チャート・フォーカスゴールド等の網羅型問題集で、全範囲を満遍なく仕上げること。 ② 一般の問題集では対策しきれない応用部分に対しては、過去問演習を通して、その「応用の型」を理解すること。 ③ もし余力・時間があれば、上記①の後に、難しめの問題集を１冊はさんで、いわゆる難問に慣れてもいいと思いますが、 青チャートやフォーカスゴールド等を仕上げている段階であれば、過去問の解説を理解できる、と思いますので、 他大学の過去問も含めて、過去問演習をメインにしてもいい、と思います。 |
2023 年 ｜ 東京医科歯科大学（医学部／医学科） ｜ 物理
◆ 第１問
| 力学分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・箱の中に物体が入っている場合で、箱・物体間に摩擦なしの場合の、箱の運動 ・箱・物体間に摩擦ありの場合で、箱の中で物体が滑る場合の、箱と物体それぞれの運動方程式 ・箱内で物体が滑り始める場合の外力の大きさ ・箱・物体間に摩擦ありの場合で、箱の中で物体が滑る場合の、箱と物体が接触する時刻 ・撃力を加えた場合に、物体が箱に接触しないための条件 ・撃力を加えた場合に、物体が箱の中で滑った距離と静止するまでの時間 ・箱と物体の速度変化のグラフ化と、物体が箱の中で滑った距離の図示 ・箱の中の物体が、箱と n 回衝突した後の、物体と箱の速度 ・時間が十分に経過後の物体と箱の速度、衝突によって失われた運動エネルギー ・物体と箱の４回目の衝突までの、箱の速度のグラフ |
| 【問題難易度】 ★ 4（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① 個々の内容は「網羅的な問題集」に載っているものも多いので、まずは、 そうした問題集を仕上げること。その後で、② 試験問題特有の部分（本問では「n 回衝突の処理」など）は、 過去問演習を通して、その考え方を身につけたい。 |
◆ 第２問
| 電磁気分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・１つの正電荷が xy 平面上につくる電位、電場の大きさと向き、等電位線の図示 ・２つの正電荷が xy 平面上につくる電場の大きさと向き、原点につくる電位 ・電位の次元を表示 ・電荷の対称性から、多項式における係数を決定 ・原点を通る等電位線の原点における接線の傾き ・y=c を境に、電位の極大値の数が１つと２つに分かれる場合の c の値 ・特定の条件を満たす場合の等電位線の図示 |
| 【問題難易度】 ★ 4（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① 個々の内容は「網羅的な問題集」に載っているものも多いので、まずは、 そうした問題集を仕上げること。その後で、 ② 試験問題特有の部分（本問では「多項式近似・極値の対称性・等電位線のグラフ」の部分など）は、 過去問演習を通して、その考え方を身につけたい。 |
◆ 総評
| 全体的な対策 |
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① まずは、「網羅的な問題集」の全範囲を満遍なく仕上げること。 ② 一般の問題集では対策しきれない応用部分に対しては、過去問演習を通して、その「応用の型」を理解すること。 ③ もし余力・時間があれば、上記①の後に、難しめの問題集を１冊はさんで、いわゆる難問に慣れてもいいと思いますが、 過去問の解説を理解できる段階であれば、他大学の過去問も含めて、過去問演習をメインにしてもいい、と思います。 |
2023 年 ｜ 東京医科歯科大学（医学部／医学科） ｜ 化学
◆ 第１問
| 理論分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・弱酸の電離における電離定数、電離度、水素イオン濃度、陰イオン濃度の定式化 ・酢酸の電離定数の計算 ・酸の濃度と電離度の大きさの関係とそうなる理由 ・９つの試料に対して、電離度を実際に計算 ・水素イオン濃度を近似的に求めてもよい場合とその理由 ・水の電離が無視できない場合の HCl 水溶液の水素イオン濃度 ・水の電離が無視できない場合のフェノール水溶液の水素イオン濃度 |
| 【問題難易度】 ★ 3（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① 個々の内容は「網羅的な問題集」に載っているものも多いので、まずは、 そうした問題集を仕上げること。その後で、② 試験問題特有の部分（本問では「実際の計算方法・省略の可否」など）は、 過去問演習を通して、その考え方を身につけたい。 |
◆ 第２問
| 有機分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・フェノール水溶液と臭素水の反応により生成する白い沈澱の物質名と構造式・電子配向性 ・フェノールと塩化鉄（Ⅲ）水溶液の呈色反応 ・アルカリ融解によるフェノールの合成 ・弱酸遊離反応の説明 ・ナトリウムフェノキシドに高温高圧で CO2 を反応させた場合、さらに硫酸を加えた場合の生成物の構造式 ・硫化水素、二酸化硫黄、硫酸における硫黄原子の酸化数 ・ある質量の硫黄から接触法で濃硫酸を生成する場合に、生成する濃硫酸の質量 ・グルコースに濃硫酸を加えた場合の反応の化学反応式 ・求核アシル置換反応（説明あり）による生成物の構造式 ・４-アミノ安息香酸（構造式を書けること）とエタノールの求核アシル置換反応による生成物の構造式 ・上記生成物におけるエタノール由来の酸素原子の特定 ・スルホンアミド基（-SO2NH2）が与えられた上で、スルファニルアミド（p-アミドベンゼンスルホンアミド）の構造式を書く ・弱酸性でさらし粉水溶液により赤紫色に呈色、等の条件から、化合物を特定し構造式を書く ・一連の反応において、スルファニルアミドとともに生成される物質の名称 ・他の求核アシル置換反応による結合の変化の図示 |
| 【問題難易度】 ★ 4（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① 個々の内容は「網羅的な問題集」に載っているものも多いので、まずは、 そうした問題集を仕上げること。その後で、 ② 試験問題特有の部分（本問では「初見の問題への対処方法」など）は、 過去問演習を通して、その考え方を身につけたい。 |
◆ 第３問
| 理論有機分野 |
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【完答するために必要な考え方、等】 ・シリカゲルに含まれる構造と名称 ・薄層クロマトグラフィーの実験前に、シリカゲルプレートを加熱処理することが推奨されている理由 ・極性が低い分子の方が高い Rf 値を示す理由 ・薄層クロマトグラフィーの平衡化における展開溶液の蒸気圧 ・一部を入れ替えたシリカゲルプレートにおける実験結果の相違の理由 |
| 【問題難易度】 ★ 3（※「★１」が共通テストレベル。難易度の評価は、当塾の主観によります） |
| 【対策】 ① 個々の内容は「網羅的な問題集」に載っているものも多いので、まずは、 そうした問題集を仕上げること。その後で、 ② 試験問題特有の部分（本問では「初見の問題への対処方法」など）は、 過去問演習を通して、その考え方を身につけたい。 |
◆ 総評
| 全体的な対策 |
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① まずは、「網羅的な問題集」の全範囲を満遍なく仕上げること。 ② 一般の問題集では対策しきれない応用部分に対しては、過去問演習を通して、その「応用の型」を理解すること。 ③ もし余力・時間があれば、上記①の後に、難しめの問題集を１冊はさんで、いわゆる難問に慣れてもいいと思いますが、 過去問の解説を理解できる段階であれば、他大学の過去問も含めて、過去問演習をメインにしてもいい、と思います。 |